AI 시대, 반도체 투자 판세가 바뀐다

AI 연산 속도와 실제 추론 성능 사이의 간극이 벌어지며 고부가가치 반도체 산업의 무게중심이 데이터 공급 통로 확보로 이동했다. 연산 속도가 아무리 빨라도 통로가 좁으면 AI 추론 성능을 100% 발휘하지 못한다.

이는 데이터 저장이 충분하지 않으면 AI 추론 성능을 제대로 발휘하지 못하게 만드는 문제이며, 이 데이터 병목 현상이 발생하는 곳으로 반도체 고부가 가치 산업의 시선이 이동하고 있다.

초기 AI 연산 병목은 대량의 병렬 처리가 필요한 GPU 단계에서 발생했으며, 이는 엔비디아의 위상 강화로 이어졌다.

최근 에이전트 AI의 부상으로 로직 처리를 담당하는 CPU의 중요성이 다시 부각되고 있으며, 데이터 병목을 해결하기 위한 수직 적층 메모리 기술인 HBM이 핵심 기술로 떠올랐다.

HBM 수요가 늘어날수록 DRAM을 수직으로 쌓아 올리는 만큼 DRAM 소요량이 확대되는 현상이 나타난다.

AI 성능이 고도화될수록 DRAM은 물론 낸드(NAND)와 스토리지 같은 저장 공간도 계속 늘어나야 하는 상황으로, 데이터 문맥이 길어지고 동시 접속자가 많아질수록 데이터 요구량이 급증한다.

이는 서버용 DRAM, 기업용 SSD, 대용량 HDD 등 메모리 전반에 걸쳐 공급 부족 현상을 야기하고 있다.

삼성증권은 DRAM의 장기 수요 성장률이 연간 약 22%에 이를 것으로 전망한다.

그러나 메모리 3사의 웨이퍼 생산량(CAPA) 증가분 15% 중 70%가 HBM에 배정되면서, 범용 DRAM의 연간 성장률은 5% 내외에 그쳐 구조적인 공급 제약 상태가 지속될 것으로 예상된다.

2023년 업황 악화로 반도체 기업들의 설비 투자가 지연되거나 이연되는 현상이 나타났다.

팹 증설은 장비 확보와 공정 최적화에 수년이 소요되는 장기 과제이며, 삼성전자나 SK하이닉스의 증설 계획 대부분이 2027년 이후로 예정되어 있다.

특히 HBM이 범용 DRAM 대비 웨이퍼를 3~5배 더 소비하므로, 이는 범용 제품의 공급 축소를 유발하고 구조적인 공급 제한을 심화시키는 요인으로 작용한다.

각국의 AI 인프라 구축으로 B2G 사업이 확대되면서 반도체 수급 구조에 변화가 생기고 있다.

과거와 달리 위약금과 선급금을 포함한 장기 공급 계약(LTA)이 일반화되며 법적 구속력이 강화되고 있다.

이는 '치킨 게임' 종료 후 메모리 3사 중심의 견고한 과점 구도를 형성하고 증설 및 재고 리스크를 감소시켜 반도체 산업이 새로운 사이클에 진입하고 있음을 시사한다.

생산 능력(CAPA) 증설은 결국 장비 투자를 의미하므로 반도체 소부장(소재·부품·장비) 기업, 특히 전공정 업체들의 기대감이 높아진다.

AI 반도체의 고도화는 검수 및 테스트를 담당하는 후공정 수요의 급증으로 이어진다.

HBM 증가에 따라 계급수적인 디램 수요가 발생하고 있다. 서버 디램을 포함한 데이터 처리 전 과정에서 중요성이 커짐에 따라, 글로벌 디램 집중 투자 ETF인 SOL 글로벌디램반도체플러스가 신규 상장했다.

HBM 수요 증가는 필연적으로 계단식으로 필요한 DRAM 수요를 증가시키며, 서버 DRAM 및 데이터 처리 과정에서 DRAM의 중요성이 더욱 커진다.

이러한 분석을 바탕으로 글로벌 DRAM 시장에 집중 투자하는 ETF인 'SOL 글로벌DRAM반도체플러스'가 신규 상장했다.

SOL 글로벌DRAM반도체플러스 ETF는 글로벌 DRAM 3강인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론에 각각 약 25%씩, 총 75% 내외의 비중을 둔다.

나머지 25%는 범용 DRAM, 낸드, 스토리지 및 메모리 장비주로 구성하며, 한국, 미국, 일본 등 국가별 지배력을 가진 기업들을 편입하고 상위 10개 종목으로 압축하여 집중도를 강화한다.

SOL 글로벌DRAM반도체플러스 ETF는 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론에 각각 약 25%씩, 총 75% 내외의 비중으로 투자한다.

나머지 25%는 낸드, 스토리지, 메모리 장비 업체로 구성되며, 범용 DRAM은 한국과 미국 기업, 낸드는 일본 기업, 대용량 HDD는 미국 기업 등 국가별 강점을 고려하여 편입한다.

이러한 전략은 투자자가 개별 국가나 기업을 선택할 필요 없이 글로벌 시장 지배력을 가진 기업에 분산·집중 투자할 수 있게 한다.

이 상품은 전체 종목을 10개로 압축하고 핵심 3사 비중을 75% 내외로 높여 집중도를 확보했다. HBM뿐만 아니라 범용 디램, 낸드, 스토리지 전반에 걸쳐 일정 비중 이상을 유지하며 미국 외 일본 기업까지 포함해 시장 전체의 성장을 반영한다.

미국 외에 낸드 분야에서 강점을 가진 일본 기업(키오시아 등)을 포함하여 글로벌 메모리 시장 전체의 성장을 반영하며, 전체 종목을 10개로 압축하고 핵심 3사의 비중을 75% 내외로 높여 집중도를 확보한다.

이 ETF는 HBM에만 의존하지 않고 범용 DRAM 및 낸드(NAND) 비중을 일정 수준 유지하여 특정 기술에 대한 의존도를 낮춘다.

미국 시장에만 국한되지 않고 일본 기업(키옥시아 등)을 포함하여 글로벌 메모리 산업의 성장을 광범위하게 반영하며, 메모리 3사에 각각 25%씩, 약 75% 내외의 비중을 할당해 대장주에 대한 지배력을 확보한다.

전체 종목을 10개로 압축하여 분산 투자 효과와 집중 투자 전략을 동시에 추구한다.

SOL 글로벌DRAM반도체플러스 ETF는 전체 포트폴리오를 10개 종목으로 압축하여 투자 전략의 명확성을 유지한다.

메모리 3사 외에도 시장 지배력과 경쟁력을 갖춘 메모리 장비사 및 낸드(NAND) 기업을 포함하여, 종목 수 최소화를 통해 핵심 메모리 3사에 대한 확실한 지배력을 확보한다.