삼성, HBM 성능 8배 뛰어넘는 차세대 3D 메모리 'GHBM' 공개
원본 영상 0:31이번에 삼성에서 공개한 GHBM은 XPU(GPU나 NPU) 위에 코다이와 인터레이어를 쌓는 방식이다. 기존 HBM이 GPU 옆에 붙어 있는 2.5D 방식과 달리, GHBM은 메모리를 GPU 위에 직접 쌓아 올린 구조를 가진다. 이러한 구조는 열 관리가 특히 중요해지는데, 삼성은 12단 HBM을 4단으로 축소하고 TSV(실리콘 관통 전극) 밀도를 10배 증가시키는 혁신적인 컨셉을 제시했다. 이러한 기술 개선을 통해 GHBM은 HBM5 대비 연산 성능은 8배, 전력 효율은 3배 향상된 성능을 목표로 하고 있다.
삼성전자는 인텔과 협력하여 D램과 낸드를 수직으로 적층하는 CXL(Compute Express Link) 기술을 개발 중이며, 이러한 수직 적층 기술이 GHBM 개발에 중요한 역할을 할 것으로 보인다. 이미 D램과 낸드를 묶어 하나의 패키징으로 만드는 하이브리드 CXL 메모리 기술을 선보인 바 있다. 이처럼 차세대 고성능 메모리 기술 개발에 박차를 가하며 인공지능(AI) 시대의 데이터 처리 요구에 대응하려는 전략으로 해석된다.
GHBM은 AI 시대를 맞아 폭발적으로 증가하는 데이터 처리량을 감당하기 위한 고성능 메모리 솔루션으로 자리매김할 가능성이 크다. 특히 AI 칩셋의 성능을 극대화하기 위해 메모리와 프로세서를 더 가깝게 통합하는 방향으로 기술이 진화하고 있음을 보여주는 사례다. 삼성의 이번 GHBM 공개는 미래 메모리 반도체 시장의 판도를 바꿀 중요한 기술 혁신으로 평가받고 있다.


