삼성전자 HBM4 가격 3배 인상 제안

삼성전자와 SK하이닉스 자사주 매입 기간 외국인 매도세가 강력했던 만큼, 10월 초·중순 종료 시 매입 주체가 사라져 오히려 외국인 매도 강도가 약해질 가능성이 있다. 단순 악재로 볼 상황이 아니라는 분석이다.

그동안 삼성전자와 SK하이닉스의 자사주 매입 기간 동안 외국인 매도세가 강력하게 지속됐다.

매입 주체가 사라지면 외국인 매도 강도 역시 약화될 가능성이 있어, 단순히 매입 종료를 주가 급락의 악재로만 볼 상황은 아니라는 지적이 있다.

삼성전자가 내년에 출시할 HBM4 메모리의 가격을 현재 HBM3E 대비 3배 이상 높은 수준으로 고객사에 제안했다.

구체적으로 HBM3E가 1GB당 약 1.5달러였던 것에 비해, HBM4는 1GB당 4.5~4.9달러 수준을 제시하여 약 3배에서 3.3배 높은 가격 인상을 추진하고 있다.

이러한 공격적인 가격 정책은 2분기 실적 차이가 고객사와의 가격 협상 능력에서 기인했으며, 삼성전자가 이를 통해 실적 방어에 성공했음을 보여주는 대목으로 해석된다.

HBM4는 2048비트로 대역폭이 확장되어 HBM3 대비 2배 이상 성능이 향상되며, 이는 AI 가속기 성능에 직접적인 영향을 미친다.

또한, HBM4의 베이스 다이 제조에는 미세 파운드리 공정이 필수적으로 도입되는데, 삼성전자는 자체 파운드리를 보유하고 있어 SK하이닉스 대비 유리한 위치에 있다.

이와 함께 적층 및 패키징 난이도 상승은 HBM4의 구조적 원가 상승을 야기하여 가격 인상의 주요 근거가 된다.

삼성전자의 HBM4 가격 인상 전략은 그동안 HBM 시장에서 SK하이닉스에 밀렸던 상황을 극복하고, 자사 제품 성능에 대한 강한 자신감을 가격으로 표현하려는 전략적 의도가 담긴 것으로 분석된다.

3분기 삼성전자 실적은 예상치를 상회할 것이라는 추정치가 존재하며, 이는 삼성전자의 HBM4 기술력이 SK하이닉스 대비 우위에 있음을 시사한다.

반면 SK하이닉스는 HBM 관련 발열 문제 및 1C 공정 전환 지연 가능성이 언급되고 있어, HBM4 경쟁에서 삼성전자가 기술적 우위를 확보할 것이라는 평가가 나온다.

SK하이닉스는 HBM4 베이스 다이 생산을 TSMC 등 외부에 위탁해야 하므로, 삼성전자 대비 마진 우려가 상존한다.

이에 대한 대응책으로 미국 내 인텔 공장 인수 및 활용을 통한 베이스 다이 협력 가능성이 보도되고 있으며, 인텔 CEO가 SK하이닉스 출신이라는 점도 이러한 가능성에 힘을 싣는다.

인텔 파운드리 활용은 SK하이닉스의 HBM4 마진 우려를 해소하고 향후 호재로 작용할 수 있는 잠재력을 가진다.

삼성전자 HBM4 가격이 인상되면 같은 수량을 팔더라도 단가가 3배 높아져 매출 증대 효과가 크게 나타날 것으로 예상된다.

특히 내년부터는 주력 제품이 HBM3에서 HBM4로 전환되면서 단가 상승 효과가 본격화될 것으로 보인다.

현재 고객사와 가격 협상 중이며 10월 중 마무리될 예정이지만, 제시된 가격은 삼성전자의 제안일 뿐 확정된 것이 아니며 HBM4 생산에 드는 비용 상승분 또한 고려해야 하므로 매출이 그대로 3배 늘어나는 것은 아니다.

4분기 예상 메모리 가격이 지속적으로 상향 조정되면서 메모리 가격 상승 사이클이 가속화되고 있다는 분석이 나온다.

트렌드포스(TrendForce)는 4분기 D램 가격 상승 전망치를 기존 6~8%에서 15~20%로 상향 조정하며 실적 개선에 대한 기대감을 높였다.

메모리 반도체 시장에서 계약가 대비 현물가(스팟) 프리미엄이 급증하며 쇼티지(공급 부족) 현상이 심화되고 있다.

특히 DDR4와 DDR5 가격 격차가 최대 40%까지 벌어졌으며, PC 제조사들은 내년 공급 부족을 대비해 공격적으로 재고를 확보하는 중이다.

반도체 제조사들이 수익성이 높은 AI 및 서버용 제품에 생산 능력을 우선 배정하면서 일반용 메모리 반도체의 공급 타이트 현상이 가속화되고 있다.

9세대 이전 구형 제품은 단종 수급 난항을 겪는 가운데 마이크론 실적 발표에서 쇼티지 해결 시점은 불투명하다고 언급됐다. 4분기 모바일 디램은 0~5%의 약세를 보이나, 내년 1분기 LPDDR5 상승률은 13~18%로 반등이 시사된다.

또한 구형 세대(9세대 이전) 제품은 단종으로 인해 수급 난항이 예상되며, 마이크론의 실적 발표에서도 쇼티지 해결 시점이 불투명하다는 언급이 있었다.

삼성전자 주가 부진은 외국인 글로벌 펀드의 신흥국 반도체 대규모 매도세와 원·달러 환율 상승(6월 말 대비 11% 상승)에 따른 외국인 차익 실현이 주요 원인으로 작용한다.

삼성전자와 SK하이닉스의 3분기 합산 영업이익은 188조 원으로 예상되며, 삼성전자의 3분기 영업이익 컨센서스는 110조 원에 달할 것으로 전망된다.

두 기업의 매출 대부분이 달러로 발생하기 때문에 원화 강세는 원화 환산 시 실적을 줄어 보이게 만드는 효과가 있어 실제 실적과 주가 사이에 괴리가 발생한다.

HBM4는 일반 디램 대비 웨이퍼를 3배 이상 소모하며, 일반 디램은 다이 1개만 필요하지만 HBM은 8~12개의 다이가 필요해 웨이퍼 소모량이 많다.

HBM의 적층 구조상 한 층이라도 불량이 발생하면 전체 스택이 손실될 위험이 크며, 이는 완제품의 높은 양품 요구율로 이어져 공급 타이트 현상을 심화시킨다.

삼성전자와 마이크론 등 주요 반도체 기업들의 신규 팹(Fab) 투자는 선단 디램과 HBM 위주로 집중되고 있다.

반도체 장비 기업들의 실적은 클린룸 오픈 전 장비 발주 시점부터 반영되며, 올해 하반기부터 장비 발주가 본격화되면서 관련 장비주의 주가 흐름이 양호한 모습을 보인다.

LS증권은 삼성전자 밸류체인 내 최선호 종목으로 리노공업과 샘씨엔에스를 선정했다. 높은 영업이익률과 공장 이전을 통한 생산 능력 확대가 강점인 리노공업을 필두로 유니테스트, DI, TSE 등 테스트 기업들의 주가 흐름도 양호하다.

LS증권 리포트에 따르면 리노공업과 샘씨엔에스가 최선호 종목으로 선정되었는데, 특히 리노공업은 높은 영업이익률과 공장 이전을 통한 생산 능력 확대가 강점으로 꼽힌다.

리노공업은 7월부터 9월까지 이어진 파업의 여파로 3분기 실적이 기대치를 하회할 가능성이 있어 단기적인 리스크 요인이 존재한다.

이에 따라 다가오는 3분기 실적 시즌에 주가 변동성에 대비할 필요가 있으며, 실적 발표 이후 기업의 실적을 확인하고 진입하는 전략이 유효하다.

MLCC(적층 세라믹 캐패시터) 시장은 가격 인상 사이클에 진입했으며, 서버용 생산 증가에 따른 생산 능력 감소(Capa loss)와 공급 제한이 발생하고 있다.

현재 MLCC 시장은 수요 증가 속도가 공급 증설 속도보다 훨씬 가파른 상황이 지속되고 있으며, 삼성전기 등 관련 기업들이 이에 대한 투자를 진행 중이다.

AI 서버용 기판은 대면적화와 고다층화로 인해 수급 타이트 현상이 심화되고 있으며, 이는 자연스럽게 가격 상승으로 이어지고 있다.

이러한 상황에서는 기판을 생산하는 공급자가 우위에 있어 비용 증가분을 판매 가격에 전이할 수 있는 구조가 형성된다.

관련 주요 기업으로는 소캠(심택, TLB), MLB(이수페타시스, 대덕전자), ABF(삼성전기, 대덕전자) 관련주들이 주목받고 있다.