삼성전자 HBM 점유율 33% 돌파, HBM4가 견인

삼성전자가 고대역폭 메모리(HBM) 시장 점유율 33%를 돌파한 것은 HBM4 시장 내 영향력을 확대하고 있다는 중요한 신호로 해석됩니다. 그동안 HBM3 시장에서는 SK하이닉스가 엔비디아 위주의 독점적인 공급 구조를 형성하며 주도권을 잡아왔습니다. 하지만 삼성전자는 HBM4 시장에서 TPU(텐서 처리 장치) 및 ASIC(주문형 반도체) 반도체 고객사 다변화를 통해 새로운 시장 진입을 시도하며 점유율을 늘리고 있습니다.

현재 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 주요 반도체 기업들의 주가순자산비율(PBR)은 3.5배 수준으로, 시장에서 여전히 저평가 상태에 있다는 분석이 나오고 있습니다. 이는 시장이 내년 예상 실적을 전적으로 신뢰하지 않는 분위기 때문인 것으로 풀이됩니다. 투자자들이 발표되는 실적 전망치에 대해 의구심을 가지고 있어, 기업 가치가 제대로 반영되지 못하고 있다는 것입니다.

내년 반도체 시장의 핵심 성장 동력은 고대역폭 메모리(HBM) 가격의 급등이 될 것으로 전망됩니다. 일반적인 디램과 낸드 플래시는 장기 공급 계약(LTA)을 통해 가격 상승폭이 20~30%로 제한적인 반면, HBM은 연간 단위로 계약을 갱신하기 때문에 가격 변동폭이 훨씬 큽니다. 실제로 내년 HBM 가격은 70%에서 최대 140%까지 오를 것으로 예상되며, 엔비디아가 반도체 구입 비용 증가를 반영하고 있는 것도 HBM 가격 상승 추세를 뒷받침합니다.

삼성전자는 지난 2월 HBM4 최초 양산에 성공하며 이미 수익화를 진행하고 있습니다. 특히 HBM4의 베이스 다이(Base Die)에 4나노 공정을 적용하여 파운드리 사업부가 현재 풀가동되고 있습니다. 이는 기존 공정 대비 고스펙 기술을 도입함으로써 HBM 시장에서 경쟁 우위를 확보하려는 삼성전자의 전략으로 풀이되며, 파운드리와 메모리 사업 간의 시너지를 창출하고 있습니다.

HBM4 생산 방식에서 삼성전자와 SK하이닉스 간의 차이가 명확하게 드러납니다. 삼성전자는 자체 파운드리 사업부를 통해 HBM4 베이스 다이를 생산하며 통합적인 수직 계열화의 이점을 활용하고 있습니다. 반면 SK하이닉스는 12나노 베이스 다이를 사용하고 있으며, 파운드리 분야에서는 대만 TSMC와의 협력을 통해 생산을 진행하고 있습니다. TSMC의 생산량 제한으로 인해 인텔 등 다른 기업들이 더블 밴드 전략을 사용하는 상황에서, 삼성전자의 자체 파운드리 역량은 안정적인 공급망과 기술 경쟁력 확보에 유리하게 작용할 수 있습니다.

고대역폭 메모리(HBM) 시장에서 HBM3에서 HBM4로의 세대 교체가 생각보다 빠르게 가속화될 것으로 보입니다. 현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 반도체 기업들이 모두 HBM4 생산 및 개발을 준비하고 있습니다. 하지만 HBM4 시대는 이전 세대보다 짧게 지나갈 것으로 전망되며, 이미 울트라 라인업부터는 HBM4E(HBM4 Extended) 도입이 예고되어 있어 시장의 기술 발전 속도가 매우 빠르다는 것을 알 수 있습니다. 따라서 올해 하반기에는 HBM4 시장의 변화에 초점을 맞춰야 할 것입니다.

삼성전자는 범용 D램 시장에서 38%의 압도적인 점유율을 기록하며 단연 1위를 지키고 있습니다. 이는 HBM과 같은 고부가가치 메모리뿐만 아니라 범용 D램 시장에서도 삼성전자의 견고한 입지를 보여주는 중요한 투자 포인트입니다. 전반적인 메모리 가격이 우상향 추세를 보이고 있는 가운데, 중국의 CXMT(창신메모리테크놀로지) 등 후발 주자들의 점유율 확대는 현재로서는 크게 의식할 수준이 아닌 것으로 평가됩니다.

삼성전자와 SK하이닉스는 고객사 대응 전략에서 장기 공급 계약(LTA) 비중에 뚜렷한 차이를 보입니다. 삼성전자는 LTA 비중을 60~70%까지 확대하겠다고 발표하며 안정적인 공급과 수익 구조를 지향하고 있습니다. 반면 SK하이닉스는 HBM의 특성상 엔비디아와 매년 직접 계약하는 방식을 유지하고 있습니다. 이러한 LTA 비중의 차이는 각 기업의 주요 제품군과 고객 구성, 그리고 전반적인 판매 구조의 차이에서 비롯됩니다.

반도체 소재·부품·장비(소부장) 산업은 초장기 투자 사이클에 진입하고 있으며, 이러한 대규모 투자는 2029년까지 이어질 전망입니다. 2027년부터는 본격적인 증설 효과가 발생할 것으로 예상되며, 용인 반도체 클러스터와 평택 P5 등 대규모 설비 투자가 지속적으로 이루어지고 있습니다. 특히 삼성전자와 SK하이닉스 모두 용인 패브(Fab) 가동 시기를 2029년으로 앞당기겠다고 밝히면서, 반도체 생산 능력 확대를 위한 장기적인 투자가 활발하게 진행될 것입니다.

최근 반도체 후공정 장비주가 강세를 보이는 주요 원인 중 하나는 삼성전자의 베트남 패키징 공장 신규 증설입니다. 온양에 있는 기존 패키징 공장의 증설 여력이 부족해지자 삼성전자가 베트남에 새로운 패키징 공장을 짓기로 결정했습니다. 이러한 대규모 투자는 하나마이크론 등 관련 장비사들의 수주 기대감을 높이고 있으며, 검사 장비, 레이저 마커, 테스트 소켓 등 전반적인 후공정 생태계 활성화에 기여하고 있습니다.