SK하이닉스, 美 첫 HBM 공장 설립

SK하이닉스가 미국 인디애나주에 약 40억 달러(한화 약 5조 원 이상)를 투자하여 고대역폭메모리(HBM) 생산 기지를 건설합니다. 2028년 10월까지 클린룸 완공을 목표로 하며, 2029년 하반기부터 차세대 7세대 HBM인 HBM4E의 양산을 시작할 계획입니다.

조문경 기자는 "투자 규모만 40억 달러로, 오는 2029년부터 차세대 제품인 7세대 HBM을 연간 수십만 장 규모로 생산할 계획입니다"라고 밝혔습니다.

SK하이닉스의 미국 HBM 생산 방식은 한국에서 D램 웨이퍼를 생산한 후 이를 미국 현지로 운송하는 형태로 이루어집니다. 이후 미국에서 첨단 패키징과 테스트 공정을 거쳐 최종 HBM 제품으로 완성될 예정입니다.

조문경 기자는 "한국에서 생산한 D램 웨이퍼를 미국으로 가져와 첨단 패키징과 테스트를 거친 후 HBM으로 완성하는 방식입니다"라고 설명했습니다.

미국에서 생산된 HBM은 엔비디아를 포함한 주요 미국 빅테크 기업의 차세대 AI 가속기에 탑재될 전망입니다. 이는 한국에서 생산된 D램이 미국에서 HBM으로 완성되어 현지 고객사에 공급되는 한미 연계 생산 체계를 구축하는 것을 의미합니다.

조문경 기자는 "이곳에서 생산된 HBM은 엔비디아를 비롯한 미국 빅테크의 차세대 AI 가속기에 탑재될 전망입니다. 한국에서 만든 D램이 미국에서 HBM으로 완성돼 현지 고객사에 공급되는 한미 연계 생산 체계가 구축되는 겁니다"라고 언급했습니다.

미국 정부는 SK하이닉스의 HBM 공장 건설에 대해 반도체법에 근거한 지원을 약속했습니다. 구체적으로 최대 4억 5천만 달러의 보조금과 5억 달러 규모의 대출을 지원할 예정입니다.

조문경 기자는 "미국 정부도 반도체법에 따라 최대 4억 5천만 달러의 보조금과 5억 달러의 대출을 지원합니다"라고 밝혔습니다.

SK하이닉스 HBM 공장은 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 위치한 퍼듀대학교 부지에 들어설 예정입니다. SK하이닉스는 퍼듀대학교와 차세대 HBM 패키징 기술을 공동으로 연구하며 현지 인재 확보에도 적극적으로 나설 계획입니다.

이러한 투자를 통해 직접 고용 1천 명을 포함해 총 7천 명 규모의 고용 창출 효과가 예상됩니다.

SK그룹은 이번 HBM 공장 투자를 포함하여 오는 2030년까지 미국에 총 450억 달러, 한화로 약 60조 원 규모의 투자를 단행할 계획입니다. 이는 SK그룹의 미국 내 장기적인 사업 확장 전략의 일환입니다.